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SiC MOSFET 分立器件

碳化硅 MOSFET 具有優秀的高頻、高壓、高溫性能,在電力電子系統中應用碳化硅 MOSFET 器件替代傳統硅 IGBT 器件,可提高功率回路開關頻率,提升系統效率及功率密度,降低系統綜合成本。主要適用于:光伏逆變、儲能、工業電源、新能源汽車、電機驅動、充電樁等領域。


宏微碳化硅 MOSFET 分立器件具有低開關損耗、高工作結溫、低導通電阻等特點,產品具備足夠的魯棒性。


單管 - 副本.jpg

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  • VDSS (V)
    • 1200

    重置篩選

  • ID (A)
    • 50

    重置篩選

  • RDS(on) (mΩ)
    • 40

    重置篩選

  • QGD (nC)
    • 25

    重置篩選

  • VGS,op (V)
    • -4/+18

    重置篩選

  • Qrr (nC)
    • 430

    重置篩選

  • Trr (ns)
    • 17.5

    重置篩選

  • Tjmax
    • 175℃

    重置篩選

  • Qualification
    • Industrial

    重置篩選

  • Packages
    • TO-247-4L

    重置篩選

Type
VDSS (V)
ID (A)
RDS(on) (mΩ)
QGD (nC)
VGS,op (V)
Qrr (nC)
Trr (ns)
Tjmax
Qualification
Packages
篩選
  • 1200

重置篩選

篩選
  • 50

重置篩選

篩選
  • 40

重置篩選

篩選
  • 25

重置篩選

篩選
  • -4/+18

重置篩選

篩選
  • 430

重置篩選

篩選
  • 17.5

重置篩選

篩選
  • 175℃

重置篩選

篩選
  • Industrial

重置篩選

篩選
  • TO-247-4L

重置篩選

1200 50 40 25 -4/+18 430 17.5 175°C Industrial TO-247-4L
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